图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:700 V
Id-连续漏极电流:6 A
Rds On-漏源导通电阻:620 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:10.7 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:62.5 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Reel
产品:Rectifiers
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Taiwan Semiconductor
下降时间:18 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:26 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:30 ns
典型接通延迟时间:15 ns